[report] LED의 발광원리 / LED의 발광 원리 발광다이오드(Light Emittin
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작성일 23-01-28 04:23본문
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방사 강도는 단위 입체각당 방사속으로 나타내는데, 이는 발광체에서 방사되는 빛의 각도의 함수이지만 일반적으로 발광면과 수직인 주축 방향의 값으로 나타낸다. 또한 LED의 발광 효율은 내부 양자 효율(Internal Quantum Efficiency), 적출 효율(Extraction Efficien...
LED의 발광 원리 발광다이오드(Light Emitting Diode)는...
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LED의 발광 원리
[report] LED의 발광원리 / LED의 발광 원리 발광다이오드(Light Emittin
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설명
다. 광도는 단위 입체각당의 광속으로 표시되며, 휘도는 단위 면적당의 광도로서 표시되는데 이런 광도를 측정(測定) 하기 위해서는 광도계가 사용된다. Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체는 원소 주기율표 상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족의 원소가 화합하여 만들어진 것으로 발광효율이 거의 100%에 가깝다는 advantage(장점) 이 있다 이는 실리콘보다 약 1만 배 정도 높은 효율로 물질개발 초기부터 LED가 다이오드 레이저 등 발광소자에 널리 응용되어 광통신 혁명의 주역이 되었다. 이는 사람의 눈의 시감도를 고려한 Wall-Plug 효율(광출력 입력 전기 파워양)에 해당한다.레포트 LED의 발광원리 LED의 발광 원리 발광다이오드Light Emittin
발광다이오드(Light Emitting Diode)는 기본적으로 반도체 PN 접합 다이오드이다. 또 전자의 이동속도가 높고 고온 동작이 가능하여 고속·고 전력 전자소자에도 널리 사용되고 있다 특히 Ⅲ족과 Ⅴ족의 여러 원소가 혼합함으로써 매우 다양한 물질 조성과 특성(特性)의 반도체를 만들어 낼 수 있다 발광다이오드의 가방 기본적인 특성(特性)으로 가시광선 영역의 발광다이오드에서는 광도[단위 칸델라(Candela, cd)]가 사용되며, 비가시광선 영역에서는 방사속[단위 와트(Waat)]로 표시된다. 실리콘 PN 접합이 전자정보 혁명의 주역이었다면 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 PN 접합은 빛 혁명의 주역이다. 방사속은 LED에서 모든 파장에 대해 방사되는 전 출력을 나타내며, 단위 시간당 방사되는 에너지로 표시된다. 방사속은 적분구나 반사경 등을 이용하여 전체 광 출력을 측정(測定) 하여 얻어진다. 가시광선 LED 성능을 판별하는 주된 평가요소는 바로 발광 효율(Luminous Efficiency)로서, 와트 당 Lumens(im W)로 표시된다.