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반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 特性

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작성일 23-02-08 08:55

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다이오드소자를 온도계에 연결 후 뚜껑이 완전히 닫히지 않은 상태(빛 차단 전)과 호일로 감싼 상태(빛 차단 후)로 비교해 보았다. 2. 실험 결과 2.1. Si DIODE

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빛 차단 전엔 약 0.2V부터 노이즈가 생겨 그래프가 완만하게 떨어지는 곡선을 볼 수 있고 빛 차단 후엔 0.1V이하까지도 리니어한 직선을 볼 수 있다아 위 측정(測定) 결과 다이오드소자가 빛에 effect을 받아 노이즈가 생김을 알 수 있다아
위 그림은 온도가 0도에서 스타트하여 20도씩 증가하여 80도까지 올라가는 Linear Forward I-V 特性(특성)인데 온도가 증가함에 따라 더 낮은 Forward Voltage에서 상승곡선이 올라가는 것을 확인할 수 있다아
2.1.4. DIODE 온도 變化(변화)에 따른 I-V 特性(특성)

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2.1.2. Logarithm Forward Region I-V 特性(특성)

2. 실험 결과

반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 特性

2.1. Si DIODE
DIODE의 온도 變化(변화)에 따른 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.
DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다.

소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 特性을 측정(measurement)한다.

1. 실험 목표(goal)

설명

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다.
1. 실험 목표 소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다. DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다.
순서
위 그림은 다이오드소자만을 따로 측정(測定) 했을 때의 측정(測定) 값이다.

2.1.3. 빛이 미치는 effect

DIODE소자가 상온일 때의 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.

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